[1033]《模拟电子技术》西南大学机考答案

发布时间:2023-09-19 09:09:02浏览次数:59
一 、填空题(本大题共 10 小题,每道题 3.0 分,共 30.0 分)1.杂质半导体有( N )半导体和 P 型半导体之分。2.按半导体的组合方式不同,可将半导三极管分为( NPN 型 )和 PNP 型管。3.场效应管是利用电场效应(电压)来控制输出电流的半导体器件,因而称为( 电流 )控制型器件。4.大小相等、相位相反的信号,称为( 差模 )信号。5.电流反馈的重要特点是能稳定输出( 电流 ) 。6.集成运放工作在线性区的满足虚短和( 虚断 )。7.自激振荡形成的条件是( 亦称平衡条件 )。8.根据放大器中三极管静态工作点设置的不同,可分成甲类、 乙类和( 甲乙类 )三种。9.直流稳压电源一般由变压器、 整流电路、 滤波电路和( 稳压电路 )等四部分组成。10.在乙类功率放大电路中,当 Uom=( 0.63 )UCC时,三极管消耗的功率最大。二 、判断题(本大题共 10 小题,每道题 3.0 分,共 30.0 分)1.在 P 型半导体中,空穴数远远小于自由电子数。(B)A 对B 错2.NPN 三极管工作在放大区时,三个电极之间的电压关系为:UC<UB< UE。(B)A 对B 错3.场效应管的抗干扰能力强于晶体三极管。(A)A 对B 错4.差动放大电路是利用电路的对称性来抑制零点漂移的。(A)A 对 B 错5.在电压负反馈电路中,反馈电压与输出电压成正比例。(A)A 对B 错6.集成运放工作在线性区的必要条件是引入深度负反馈。(A)A 对B 错7.由于 RC 串并联网络在 f=f0时的传输系数 F=1/3,因此要求放大器的总电压增益 Au应大于 3。(A)A 对B 错8.OTL 电路采用单电源供电。(A)A 对B 错9.把交流电转换成直流电的电路称为整流电路。(A)A 对B 错10.滤波电路常由电容和电感组成。(A)A 对B 错三 、问答题(本大题共 2 小题,每道题 10.0 分,共 20.0 分)1.简述 PN 结的形成过程。PN 结的特性是什么? 答:在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成 P 型半导体,另一边形成 N 型半导体。在 P 型和 N 型半导体交界面的两侧,由于载流子浓度的差别,N 区的电子必然向P 区扩散,而 P 区的空穴要向 N 区扩散。P 区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧则因失去电子而留下不能移动的正离子,这些离子被固定排列在晶格上,不能自由运动,所以并不参与导电,这样,在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从 N 区指向 P 区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即 PN 结。因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。 PN 结的单向导电特性(1)PN 结正向偏置 给 PN 结加正向偏置电压,即 P 区接电源正极,N 区接电源负极,此时称 PN 结为正向偏置(简称正偏)。 (2)PN 结反向偏置 给 PN 结加反向偏置电压,即 N 区接电源正极,P 区接电源负极,称 PN 结反向偏置(简称反偏)。 2.三极管的内部结构有什么特点?答:三极管的内部结构为两个 PN 结,由三层半导体区形成的。(1) 基区很薄,且掺杂浓度低;(2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多;(3) 集电结的面积比发射结大。四 、计算题(本大题共 1 小题,每道题 20.0 分,共 20.0 分)1.由理想运放构成的电路如图 1 所示。 试计算输出电压 uo的值。 图 1
文档格式: docx,价格: 5下载文档
返回顶部