第 3 次作业一、作图题（本大题共 8 分，共 1 小题，每小题 8 分）二、计算题（本大题共 40 分，共 4 小题，每小题 10 分）1. 写出下列正弦波电压信号的表达式（设初始相角为零）：（1）峰—峰值20V，频率 1kHz；（2）均方根值 220V，频率 50Hz；（3）峰—峰值60mV，周期 1ms；（4）峰—峰值 1V，角频率 100rad/s。 2.3.4. 三、简答题（本大题共 12 分，共 3 小题，每小题 4 分）1. 什么是共源放大电路？有何特点？2. 指出 NPN 晶体管饱和区、放大区和截止区的条件。3. 简述晶体管在放大区的分段线性模型。四、分析题（本大题共 16 分，共 2 小题，每小题 8 分）1. 2. 五、论述题（本大题共 8 分，共 1 小题，每小题 8 分）增强型 FET 能否用自给偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。六、设计题（本大题共 16 分，共 2 小题，每小题 8 分）1. 图 1 所示电路用来测量放大电路的输入、输出电阻，当开关 K1 合上时，电压表 V1＝50mV；当 K1 断开时，电压表 V1＝100mV，求 Ri 的值。2. 答案： 一、作图题（8 分，共 1 题，每小题 8 分）0. 参考答案：解题方案：判断稳压二极管是否反向击穿稳压。评分标准：二、计算题（40 分，共 4 题，每小题 10 分）1. 参考答案：解题方案：评分标准：2. 参考答案： 解题方案：评分标准：3. 参考答案：解题方案：评分标准：4. 参考答案：解题方案：静态分析时，电容开路，晶体管用分段线性模型替换；动态分析时，电容和直流电压源短路，晶体管用低频小信号模型替换。用任意的电路分析方法求解相关参数评分标准：三、简答题（12 分，共 3 题，每小题 4 分）1. 参考答案：场效应管的源极同时在输入回路和输出回路中的放大电路既是共源放大电路。特点是输出电压与输入电压相位相反，输入电阻和输出电阻较大，增益与低频跨导成正比，频率特性较差。 解题方案：评分标准：2. 参考答案：解题方案：评分标准：3. 参考答案：解题方案：评分标准：四、分析题（16 分，共 2 题，每小题 8 分）1. 参考答案：解题方案：电容直流开路评分标准：2. 参考答案： 解题方案：评分标准：五、论述题（8 分，共 1 题，每小题 8 分）0. 参考答案：不能。以 N 沟道增强型 FET 为例，其开启电压大于 0，而自给偏压只能产生小于 0 的偏压。解题方案：评分标准：六、设计题（16 分，共 2 题，每小题 8 分）1. 参考答案：[P_60DA7719EAAE9B51C1CDAC4C013BBBC7]解题方案：当开关 K1 合上时，电压表 V1＝50mV，测得放大电路输入电压；当 K1 断开时，电压表 V1＝100mV，测得信号源电压。评分标准：2. 参考答案： 解题方案：评分标准：