《模拟电子技术》模拟题 第4套答案

发布时间:2023-12-01 15:12:31浏览次数:11
北京理工大学远程教育学院《模拟电子技术》模拟题 第四套 答案一、 填空(2×10=20 分)1 . P 沟道增强型 MOS 管工作在截止区的条件 VGS<Vth (Vth<0),欲使其能放大信号,则应将其设置在 饱和 区。2.为稳定输出电流,应引入 电流 负反馈。 3.场效应管属于 电场 控制器件。4. 双极型(BJT)构成的互补推挽电路采用的 共集 组态电路,原因是 共集组态电路带负载能力强 。5.假设某放大电路只有一个耦合电容,当该电容增大时,电路的下限频率会随 着 下降 。6. 集成电路一般采用 直接 耦合电路。7.运放共模抑制比的定义为 |AudAuc| ,理想情况下该为 无穷大 。二、分析与计算(50 分)1. (20 分)放大电路如图 2.1 所示,RG1=100K,RG2=50K,RD=10K,Rs1=0.2K,Rs2=1.8KRL=10K;场效应管 T 的参数如下:Kn=0.25mA/V2,Vth=2V,rds=∞。(ID=Kn(VGS− Vth)2)1) 计算晶体管 T1的静态工作点 IDQ,VGSQ和 VDSQ;2) gm, 中频电压放大倍数 Av,输入电阻 Ri和输出电阻 Ro; 解:1 )VG=VDDRG 2RG1+RG2= 5V VGS=VG−ID(R¿¿s 1+Rs 2)¿ (1) ID=Kn(VGS−Vth)2 (2)联立求解可得IDQ=0.68 mA 代入(1)式,可知+VDD=+15VRG1RG2RDRLC2C1vivo图2.1RS1RS2CS VGSQ=3.64 V VDSQ= VDD−IDQ( RD+Rs 1+Rs 2)=6.84 V 2) gm=2 Kn(VGS−Vth)=0.82 ms Au=−gm(RD/¿ RL)1+gmRs 1=−3.52Ri=RG 1/¿RG 2= 33.3 K Ro=RD=10 K2. (20 分)(1)说出理想运放的 5 个特征;(2)运放组成的电路如图 2.2 所示,分析该电路的功能。(3)推导出 vo1-vo2的表达式,以及 vo的表达式。解:(1)理想运放的输入电阻无穷大;输入电阻为 0;差模电压增益为无穷大;共模抑制比为无穷大;失调电压为 0; (2)构成放大差分信号,即放大两个输入电压的差 (3)根据虚短路和虚断路,vo 1−vo 2R1+R2+R1=vi1−vi 2R2vo 1−vo 2=2 R1+R2R2(vi 1−vi 2)图2.1R4R1vo1vi1voR1R2R3R3R4vi2vo2图 2.2 vo=−R4R3(vo 1−vo 2)=−R4R3×2 R1+R2R2(vi1− vi 2)3. (10 分)分析图 2.3 所示的稳压电路,说明采样电路由哪些元件组成,基准电压电路由哪些元件组成,推出输出电压最小值的表达式和最大值的表达式 ?解: 采样电路由电阻 R1,R2和 R3构成基准电压电路为 R 和稳压管 Dz, 最小和最大输出电压表达式为: R1+R2+R3R2+ R3(UZ+UBE2), R1+R2+R3R3(UZ+UBE2)。三、分析作图题1.图 3.1 所示的二极管为理想的,输入信号为vi=3 sinωt,画出输入和输出电压波形,并说明电路的功能。ui /V30t3uo /V0t图 2.3图 2.3 半波整流电路2. 图 3.2 所示电路,已知输入电压 uI的波形如图(b)所示,当 t=0 时 uO=0。试画出输出电压 uO的波形 解:输出电压的表达式为 uO=−1RC∫t1t2uIdt +uO(t1) 当 uI为常量时 uO=−1RCuI(t2−t1)+uO(t1) =−1105×10−7uI(t2−t1)+uO(t1) =-100 uI(t2−t1)+uO(t1) 若 t=0 时 uO=0,则 t=5ms 时 uO=-100×5 ×5×10-3V=-2.5V 。 当 t=1 5mS 时Rvo图 3.1vi图 3.2 vo /Vvo /V00ttvo /V uO=[-100×(-5) ×10×10-3+(-2.5)]V=2.5V。3.(10 分)图 3.3 为单门限比较器电路,(1)根据输入电压 vi的波形画出输出电压 vo的波形;(2)试在电路中引入电阻 R3,使其构成迟滞(施密特)比较器,并根据 vi重新画出 vo的波形。 (1) (2) -44vi/Vvi/V4R1=10K+6V6-6vovi-4-6V6R3=50KR2=10K-6图 3.3
文档格式: docx,价格: 5下载文档
返回顶部